智原发表PowerSlash(TM)IP于联电55ULP 支持物联网应用开发

2016-10-12 14:57:00 Faraday Technology 分享
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台湾新竹2016年10月12日电 /美通社/ -- 联华电子(UMC,TWSE: 2303)与ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日共同发表智原科技于联电55奈米超低功耗工艺(55ULP)的 PowerSlash 基础IP方案。智原 PowerSlash 与联电工艺技术相互结合设计,为超低功耗的无线应用需求技术进行优化,满足无线物联网产品的电池长期寿命需求。

智原科技营销暨投资副总于德洵表示:“物联网应用建构过程中,效能往往受制于低功耗技术。而今透过联电55奈米超低功耗技术以及智原 PowerSlash IP 的加速模式(Turbo Mode)功能,为物联网应用环境带来至关重要的解决方案,除了省电更提供绝佳的效能。再次,联电和智原共同缔造了成功的芯片服务技术。”

智原 PowerSlash IP 包含多重临界电压组件库、内存编译器和电源管理组件,能够充分利用联电 55ULP 的优势在0.81V至1.32V广域电压下运作。此外,新的加速模式功能可以有效调升性能曲线,帮助 MCU 核心达到2倍效能,在相同额定频率下减少约40%的动态功耗。

联电硅智财研发暨设计支持处的莫亚楠资深处长也表示:“物联网芯片设计师对于有效的节能解决方案有高度的需求。联电拥有晶圆代工业界中最健全的物联网专属55奈米技术平台,结合完整的硅智财方案,可以支持物联网产品的不间断低功耗要求。藉由智原在我们的 55ULP 平台上发表的 PowerSlash IP,能够让客户使用完善的工艺平台,协助提供物联网产品的独特需求。”

PowerSlash IP 结合智原的低功耗设计系统、系统芯片超低功耗控制组件与 FIE3200 FPGA 平台,可以使用在低功耗集成电路的前端设计或后端开发阶段。联电的 55ULP 技术能够支持较低的操作电压及 sub-pA 装置漏电,为含有钮扣电池的产品提供理想的的晶圆工艺。智原与联电合力的超低功耗解决方案,为超低功耗集成电路设计平台带来新的基准。

关于智原科技

智原科技(Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035)为专用芯片(ASIC)设计服务暨知识产权(IP)研发销售领导厂商,总公司位于台湾新竹科学园区,并于美国日本、欧洲与中国大陆设有研发、营销据点。智原科技主要提供知识产权及专用芯片设计方案等服务项目。重要的 IP 产品包括:I/O、Cell Library、Memory Compiler、ARM-compliant CPUs、DDR 2/3/4、低功耗 DDR 1/2/3、MIPI、V-by-One、MPEG4、H.264、USB 3.X、10/100/1000 Ethernet、Serial ATA、PCI Express,以及可编程 SerDes 等数百个外围数字及混合讯号 IP。更多信息请浏览智原科技网站:www.faraday-tech.com

关于联华电子

联华电子身为半导体晶圆专工业界的领导者,提供先进工艺与晶圆制造服务,为 IC 产业各项主要应用产品生产芯片。联电完整的解决方案能让芯片设计公司利用尖端工艺的优势,包括28奈米 Poly-SiON 技术、High-K/Metal Gate 后闸极技术、混合信号/RFCMOS 技术,以及其他涵盖广泛的特殊工艺。联电现共有十座晶圆厂,其中包含位于台湾的 Fab 12A与新加坡的 Fab 12i等两座12吋厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进至28奈米的客户产品,第五、六期已兴建完成,第七、八期则已在规划当中。联电在全球约有超过15,000名员工,在台湾、日本、韩国、中国大陆、新加坡、欧洲及美国均设有服务据点,以满足全球客户的需求。联华电子官网请见:www.umc.com。

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